A
admin
Guest
Elektronik Deri Gerçek Oluyor: Atomik İncelikte Transistör Geliştiriliyor
Elektronik cilt, lakin neredeyse fark edilmeyecek kadar incelmeyi başarırsa hakikaten pratik hale gelecek ve bilim insanları artık bu buluşu gerçekleştirmiş olabilir. Stanford araştırmacıları, 100 nanometrenin altında uzunlukta “atomik incelikte” transistörler üreten yeni bir teknik geliştirdiler. Üniversitenin dediğine nazaran bu, evvelki en güzelden “birkaç kat” daha kısa.
Takım, esnek teknolojide uzun müddettir devam eden bir pürüzü aşmayı başardı. ‘2D‘ yarı iletkenler ülkü olsa da, üretimleri için gereksinim duyulan ısı esnek plastiği eritebilecek yükseklikte. Yeni yaklaşım, nano desenli altın elektrotlarla kaplanmış muhteşem ince bir yarı iletken sinema (molibden disülfür) ile cam kaplı silikonu kapsıyor. Bu yaklaşım, 1,500F’ye (815,5C) yakın bir sıcaklık kullanarak yalnızca üç atom kalınlığında bir sinema üretiyor ve klasik plastik alt katman 680F (827C)civarında deforme oluyor.
Bileşenler soğuduktan daha sonra, takım sineması alt katmana uygulayabiliyor ve yaklaşık beş mikron kalınlığında yahut insan saçının onda biri kalınlığında bütün bir yapı oluşturmak için birkaç “ek üretim adımı” gerçekleştiriliyor. Ortaya çıkan eser düşük voltajda yüksek akımları kaldırabildiğinden, düşük güç kullanması için bile ülkü oluyor.
Fakat yapılması gereken daha bir epeyce çalışma bulunuyor. Araştırmacılar hem esnek teknolojiyi geliştirmek tıpkı vakitte hantal donanım olmadan ağ oluşturmaya müsaade verecek kablosuz teknolojiyi eklemek istiyorlar. Ayrıyeten bu değişen teknolojinin olağan zorluklarını da unutmamak gerekiyor – araştırmacıların bu transistörleri makul fiyatlarla seri üretmenin bir yolunu bulması gerekecek. Fakat araştırmacılar başarılı olursa, bu yeni yaklaşım ile pek verimli e-ciltlerin, implantların ve neredeyse algılanamayan öbür esnek aygıtların üretimi mümkün olabilecek.
Elektronik cilt, lakin neredeyse fark edilmeyecek kadar incelmeyi başarırsa hakikaten pratik hale gelecek ve bilim insanları artık bu buluşu gerçekleştirmiş olabilir. Stanford araştırmacıları, 100 nanometrenin altında uzunlukta “atomik incelikte” transistörler üreten yeni bir teknik geliştirdiler. Üniversitenin dediğine nazaran bu, evvelki en güzelden “birkaç kat” daha kısa.
Takım, esnek teknolojide uzun müddettir devam eden bir pürüzü aşmayı başardı. ‘2D‘ yarı iletkenler ülkü olsa da, üretimleri için gereksinim duyulan ısı esnek plastiği eritebilecek yükseklikte. Yeni yaklaşım, nano desenli altın elektrotlarla kaplanmış muhteşem ince bir yarı iletken sinema (molibden disülfür) ile cam kaplı silikonu kapsıyor. Bu yaklaşım, 1,500F’ye (815,5C) yakın bir sıcaklık kullanarak yalnızca üç atom kalınlığında bir sinema üretiyor ve klasik plastik alt katman 680F (827C)civarında deforme oluyor.
Bileşenler soğuduktan daha sonra, takım sineması alt katmana uygulayabiliyor ve yaklaşık beş mikron kalınlığında yahut insan saçının onda biri kalınlığında bütün bir yapı oluşturmak için birkaç “ek üretim adımı” gerçekleştiriliyor. Ortaya çıkan eser düşük voltajda yüksek akımları kaldırabildiğinden, düşük güç kullanması için bile ülkü oluyor.
Fakat yapılması gereken daha bir epeyce çalışma bulunuyor. Araştırmacılar hem esnek teknolojiyi geliştirmek tıpkı vakitte hantal donanım olmadan ağ oluşturmaya müsaade verecek kablosuz teknolojiyi eklemek istiyorlar. Ayrıyeten bu değişen teknolojinin olağan zorluklarını da unutmamak gerekiyor – araştırmacıların bu transistörleri makul fiyatlarla seri üretmenin bir yolunu bulması gerekecek. Fakat araştırmacılar başarılı olursa, bu yeni yaklaşım ile pek verimli e-ciltlerin, implantların ve neredeyse algılanamayan öbür esnek aygıtların üretimi mümkün olabilecek.